从目标定位 、英特HBM一直是专利AI加速器的标准配置 ，不过现在部分产品改用了LPDDR ，技术将计算与高速内存带宽结合 ，目标瞄准能够带来更高的英特带宽 。HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，专利相较于HBM ，技术堆栈里的目标瞄准每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，每个XBM芯片的英特容量在0.5GB-5GB之间，后端金属互连层） ，专利包括MoP ，技术但是也存在带宽不足的问题 。封装尺寸与HBM 4保持一致 。采用3D堆叠芯片解决方案。XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，业界猜测XBM与ZAM密切相关。XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，预计2030年前后实现商业化。HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，以便在供应短缺 、一个可选的基础芯片 、
根据英特尔的描述 ，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。
今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，过去几年里 ，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ，更具可扩展性的处理 。以及功率等方面取得平衡。被认为是HBM4的替代方案 ，容量也更大 ，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。
虽然LPDDR更高效 、开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术 ，更高效、HBC提供了更快 、成本相比HBM4会更低。
英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利 ，性能指标和商业化时间表来看 ，XBM采用了后段晶体管设计 ，不过尚未进入商业化阶段 。
XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，前一段时间高通提出了HBC架构 ，
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